Микрочип өте жылдам лазерлік кристал фотоэлектрлік аймақта сәтті қолданылды

Coupletech дискілік лазерге арналған Laser Crystal микрочипін ұсынады. Кәдімгі жартылай өткізгішпен айдалатын қатты күйдегі лазерлерде жасалған жылу линзаларының әсерлері лазер сәулесінің сапасының нашарлауына және шығыс қуатын шектейді. Микрочиптік лазер ортасының қалыңдығы әдетте 1 мм-ден төмен. Біркелкі айдау және салқындату жағдайында орташа жылу ағыны пластинаның бетіне перпендикуляр шамамен бір өлшемді өткізгіштік болып табылады, жылу линзасының әсерінен туындаған термиялық бұрмалану әсерін азайтады. Микрочиптік лазер байланыс, өлшеу, медициналық емдеу, өнеркәсіптік өңдеу, ғылыми зерттеулер және әскери салаларда өте маңызды болып табылатын жоғары сәулелік сапалы (TEM00 Гаусс режимі) және монохроматтылықты (бір бойлық режим, сызық ені 5 кГц-тен аз) шығара алады. қолданбалар. қолдану.

Coupletech лазерлік кристалдың барлық түрлерін, соның ішінде Nd:YVO4, Nd:YAG, диффузиялық байланысқан композиттік кристалды, Nd:YLF, Yb:YAG, Cr:YAG және олардың микро-диск кристалын жеткізеді. мысалы ультра жұқа Nd:YAG+Cr:YAG кристалы әдетте дискідегі өте жылдам лазер үшін пайдаланылады және ол fs лазері мен ps лазері үшін өте аз көлемге арналған. Қазір лазерлік кристалдың көбірек жаңа түрлері пайда болды, Yb легирленген лазерлік кристалдың жаңа мүшесі бар, атап айтқанда, зерттеулер көрсеткендей, «күшті өріспен байланысқан Yb3+ ионының төрт деңгейлі квази-деңгейлі жүйесі» жаңа концепциясы қолданылады. Күшті өріс байланысы Yb3+ ионының бөлінуінің энергетикалық деңгейін жоғарылатады, лазер астында ыстық популяцияның үлесін азайтады және Yb3+ ионының төрт деңгейлі лазерлік жұмысына қол жеткізеді. Оң және теріс силикат кристалдарында ең жоғары жылу өткізгіштік (7,5 Втм-1К-1) және жалғыз теріс сыну көрсеткіші температура коэффициенті (dn/dT=-6,3 Ì 10-6К-1) бар Yb таңдаңыз: жаңа түрі кристалы Sc2SiO5 (Yb:SSO) кристалы Чохральский әдісімен өсіріледі. Кристалды лазердің шығысы және өте жылдам лазердің шығысы іске асырылды, 75 Вт (M2<1,1) және 280 Вт жоғары сәуле сапасына, 298 фс жоғары қуатты үздіксіз лазер шығысына қол жеткізу үшін қалыңдығы 150 μm болатын Yb:SSO микрочиптері пайдаланылды. Жақында бұл кристалда 73 fs режимінде құлыпталған ультра жылдам лазер шығысы жүзеге асырылды.